Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 1.06 CAD
Availability: OutOfStock

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Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix unitaire : 1,06000 $

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SSM6J212FE,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J212FELFTR-ND - Bande et bobine SSM6J212FELFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J212FE,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J212FE,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40,7mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	970 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	ES6
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base	SSM6J212