Name: SSM3J375F,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J375F,LXHFTR-ND
Price: 0.79 CAD
Availability: InStock

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SSM3J375F,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3J375F,LXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3J375F,LXHFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J375F,LXHF
Description	AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface S-mini
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) +6V, -8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 270 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 600mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Boîtier fournisseur S-mini
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 1A, 4,5V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Bande et bobine

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SSM3J375F,LXHF