Name: CSD19538Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44612-2-ND
Price: 3.05 CAD
Availability: InStock

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CSD19538Q2T
Numéro de produit DigiKey	296-44612-2-ND - Bande et bobine 296-44612-1-ND - Bande coupée (CT) 296-44612-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD19538Q2T
Description	MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 13,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) Montage en surface 6-WSON (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD19538Q2T Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 250µA
Fabricant Texas Instruments	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.6 nC @ 10 V
Série NexFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 454 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 6-WSON (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,1 A (Tc)	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base CSD19538
Rds On (max.) à Id, Vgs 59mohms à 5A, 10V