Name: CSD13302WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD13302WTTR-ND
Price: 2.46 CAD
Availability: InStock

Canal N 12 V 1,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface 4-DSBGA (1x1)

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CSD13302WT
Numéro de produit DigiKey	296-CSD13302WTTR-ND - Bande et bobine 296-CSD13302WTCT-ND - Bande coupée (CT) 296-CSD13302WTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD13302WT
Description	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 1,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface 4-DSBGA (1x1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD13302WT Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,3V à 250µA
Fabricant Texas Instruments	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
Série NexFET™	Vgs (max.) ±10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 862 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,8W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Boîtier fournisseur 4-DSBGA (1x1)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,6 A (Ta)	Boîtier 4-UFBGA, DSBGA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Numéro de produit de base CSD13302
Rds On (max.) à Id, Vgs 17,1mohms à 1A, 4,5V

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