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STW70N65M2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | STW70N65M2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STW70N65M2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 63 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STW70N65M2 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 117 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5140 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 446W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 46mohms à 31,5A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3 650 | 238-IXFH80N65X2-ND | 25,84000 $ | Similaire |
| IXFX90N60X | IXYS | 0 | IXFX90N60X-ND | 18,61600 $ | Similaire |
| IXKH70N60C5 | IXYS | 210 | 238-IXKH70N60C5-ND | 40,98000 $ | Similaire |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | 25,29000 $ | Similaire |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 23,92000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 600 | 9,07897 $ | 5 447,38 $ |
