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STW58N60DM2AG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-16131-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STW58N60DM2AG |
Description | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STW58N60DM2AG Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±25V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100 pF @ 100 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 360W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 25A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | 360 | IPW60R060C7XKSA1-ND | 14,09000 $ | Similaire |
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | 236 | IPW65R048CFDAFKSA1-ND | 17,37000 $ | Similaire |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 069 | 238-IXFH60N65X2-ND | 23,73000 $ | Similaire |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | 20,39000 $ | Similaire |
| IXTH52N65X | IXYS | 0 | IXTH52N65X-ND | 13,62233 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 17,48000 $ | 17,48 $ |
| 30 | 10,39333 $ | 311,80 $ |
| 120 | 8,83867 $ | 1 060,64 $ |
| 510 | 7,70012 $ | 3 927,06 $ |
| 1 020 | 7,65669 $ | 7 809,82 $ |





