STW56N60DM2 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Similaire


IXYS
En stock: 5 069
Prix unitaire : 23,73000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 450
Prix unitaire : 20,39000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 13,62233 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 350
Prix unitaire : 23,21000 $
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 1 083
Prix unitaire : 25,13000 $
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 12,17000 $
Fiche technique

Similaire


Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 300
Prix unitaire : 23,92000 $
Fiche technique

Similaire


Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 295
Prix unitaire : 18,88000 $
Fiche technique

Similaire


Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 265
Prix unitaire : 16,65000 $
Fiche technique
Canal N 600 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Trou traversant TO-247-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 600 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Trou traversant TO-247-3

STW56N60DM2

Numéro de produit DigiKey
497-16341-5-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STW56N60DM2
Description
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STW56N60DM2 Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±25V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4100 pF @ 100 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
60mohms à 25A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (9)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IXFH60N65X2IXYS5 069238-IXFH60N65X2-ND23,73000 $Similaire
IXTH48N65X2IXYS450IXTH48N65X2-ND20,39000 $Similaire
IXTH52N65XIXYS0IXTH52N65X-ND13,62233 $Similaire
IXTH62N65X2IXYS350IXTH62N65X2-ND23,21000 $Similaire
R6077VNZ4C13Rohm Semiconductor1 083846-R6077VNZ4C13-ND25,13000 $Similaire
En stock: 0
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
113,54000 $13,54 $
307,88067 $236,42 $
1206,63667 $796,40 $
5105,72553 $2 920,02 $
1 0205,47113 $5 580,55 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.