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Canal N 30 V 80 A (Tc) 4W (Ta), 60W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (5x6)
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STL86N3LLH6AG

Numéro de produit DigiKey
497-16043-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STL86N3LLH6AG
Description
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 80 A (Tc) 4W (Ta), 60W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (5x6)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STL86N3LLH6AG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
STripFET™ H6
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,2mohms à 10,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2030 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4W (Ta), 60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerFlat™ (5x6)
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL86
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,80860 $2 425,80 $
6 0000,75696 $4 541,76 $
Conditionnement standard du fabricant