Canal N 600 V 2,1 A (Ta), 12 A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (8x8) HV
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STL18NM60N

Numéro de produit DigiKey
497-11847-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STL18NM60N
Description
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 2,1 A (Ta), 12 A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (8x8) HV
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STL18NM60N Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
MDmesh™ II
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2,1 A (Ta), 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
310mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1000 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerFlat™ (8x8) HV
Boîtier
4-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL18
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0001,98168 $5 945,04 $
Conditionnement standard du fabricant