Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 9.63 CAD
Availability: InStock

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STH60N099DM9-2AG
Numéro de produit DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Bande et bobine 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STH60N099DM9-2AG
Description	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 27 A (Tc) 179W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STH60N099DM9-2AG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 44 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2140 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 179W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 13,5A, 10V