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TO-220-3
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STF8N60DM2

Numéro de produit DigiKey
STF8N60DM2-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STF8N60DM2
Description
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 8 A (Tc) 25W (Tc) Trou traversant TO-220FPAB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STF8N60DM2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
MDmesh™ DM2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
449 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FPAB
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
STF8
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