Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 9.04 CAD
Availability: OutOfStock

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STB35N65DM2
Numéro de produit DigiKey	497-18244-2-ND - Bande et bobine 497-18244-1-ND - Bande coupée (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB35N65DM2
Description	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB35N65DM2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 54 nC @ 10 V
Série MDmesh™ M2	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 210W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STB35
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 14A, 10V