Name: STB18NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10117-2-ND
Price: 8.3 CAD
Availability: InStock

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STB18NM80
Numéro de produit DigiKey	497-10117-2-ND - Bande et bobine 497-10117-1-ND - Bande coupée (CT) 497-10117-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB18NM80
Description	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 17 A (Tc) 190W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB18NM80 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	295mohms à 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2070 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	STB18