Name: SCTWA30N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTWA30N120-ND
Price: 37.54 CAD
Availability: InStock

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SCTWA30N120
Numéro de produit DigiKey	SCTWA30N120-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTWA30N120
Description	IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 45 A (Tc) 270W (Tc) Trou traversant HiP247™ broches longues
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTWA30N120 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1mA (typ.)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	105 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	270W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™ broches longues
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCTWA30

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 293

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Date de dernière disponibilité : 2026-02-15

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	37,54000 $	37,54 $
10	30,18800 $	301,88 $
30	28,03567 $	841,07 $
120	26,11567 $	3 133,88 $
270	25,29404 $	6 829,39 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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