Name: SCTW35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW35N65G2V-ND
Price: 10.8152 CAD
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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SCTW35N65G2V
Numéro de produit DigiKey	497-SCTW35N65G2V-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTW35N65G2V
Description	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTW35N65G2V Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	67mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1370 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	240W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCTW35

Questions et réponses sur les produits

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Dernière disponibilité

Date de dernière disponibilité : 2026-02-15

Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
600	10,81520 $	6 489,12 $

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

À utiliser avec

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