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SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCTW100N65G2AG |
Description | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Trou traversant HiP247™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SCTW100N65G2AG Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 162 nC @ 18 V |
Fabricant | Vgs (max.) +22V, -10V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3315 pF @ 520 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 420W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Trou traversant |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Boîtier fournisseur HiP247™ |
Rds On (max.) à Id, Vgs 26mohms à 50A, 18V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 5mA | Numéro de produit de base |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | 27,54000 $ | Similaire |
| SCT3022ALGC11 | Rohm Semiconductor | 1 240 | SCT3022ALGC11-ND | 81,62000 $ | Similaire |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 23,92000 $ | Similaire |
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