Name: SCTW100N65G2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW100N65G2AG-ND
Price: 42.24 CAD
Availability: InStock

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SCTW100N65G2AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCTW100N65G2AG-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTW100N65G2AG
Description	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTW100N65G2AG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	26mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	162 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3315 pF @ 520 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	420W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCTW100

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En stock: 471

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	42,24000 $	42,24 $
30	33,89133 $	1 016,74 $
120	33,53550 $	4 024,26 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.