Name: SCTH100N65G2-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTH100N65G2-7AGTR-ND
Price: 43.15 CAD
Availability: InStock

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SCTH100N65G2-7AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCTH100N65G2-7AGTR-ND - Bande et bobine 497-SCTH100N65G2-7AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCTH100N65G2-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTH100N65G2-7AG
Description	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 95 A (Tc) 360W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTH100N65G2-7AG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	95 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	26mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	162 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3315 pF @ 520 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	H2PAK-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	SCTH100