Name: SCT20N120H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT20N120HTR-ND
Price: 13.8 CAD
Availability: OutOfStock

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SCT20N120H
Numéro de produit DigiKey	497-SCT20N120HTR-ND - Bande et bobine 497-SCT20N120HCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT20N120H
Description	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 20 A (Tc) 175W (Tc) Montage en surface H2PAK-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT20N120H Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	290mohms à 10A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	650 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	175W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	H2PAK-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SCT20