SCT10N120 STMicroelectronics | FET, MOSFET simples

SCT10N120 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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SCT10N120
Numéro de produit DigiKey	497-16597-5-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT10N120
Description	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 12 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT10N120 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 20 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +25V, -10V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier fournisseur HiP247™
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 690mohms à 6A, 20V	Numéro de produit de base SCT10

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXFH15N100P	IXYS	845	238-IXFH15N100P-ND	20,70000 $	Similaire
IXFH18N100Q3	IXYS	536	IXFH18N100Q3-ND	34,68000 $	Similaire
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