Name: SCT040W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040W120G3-4-ND
Price: 23.47 CAD
Availability: OutOfStock

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Prix unitaire : 14,92000 $

Fiche technique

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SCT040W120G3-4
Numéro de produit DigiKey	497-SCT040W120G3-4-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT040W120G3-4
Description	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	*
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	54mohms à 16A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,2V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	56 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+18V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1329 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	312W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	SCT040

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	23,47000 $	23,47 $
30	14,44200 $	433,26 $
120	12,46450 $	1 495,74 $
510	12,38857 $	6 318,17 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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