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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SCT040W120G3-4 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCT040W120G3-4-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCT040W120G3-4 |
Description | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 5mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +18V, -5V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1329 pF @ 800 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 312W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-4 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 54mohms à 16A, 18V | Numéro de produit de base |
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Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 19,20000 $ | 19,20 $ |
| 30 | 11,51467 $ | 345,44 $ |
| 120 | 9,82750 $ | 1 179,30 $ |
| 510 | 8,66294 $ | 4 418,10 $ |
