Name: SCT025H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025H120G3AGTR-ND
Price: 28.28 CAD
Availability: OutOfStock

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SCT025H120G3AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCT025H120G3AGTR-ND - Bande et bobine 497-SCT025H120G3AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCT025H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT025H120G3AG
Description	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 55 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 18 V
Fabricant STMicroelectronics	Vgs (max.) +18V, -5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1990 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier fournisseur H2PAK-7
Rds On (max.) à Id, Vgs 37mohms à 25A, 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 5mA