Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 32.39 CAD
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SCT019HU120G3AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT019HU120G3AG
Description	SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 90 A (Tc) 500W (Tc) Montage en surface HU3PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 10mA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 111.2 nC @ 18 V
Série ECOPACK®	Vgs (max.) +22V, -10V
Conditionnement En vrac	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2789 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier fournisseur HU3PAK
Rds On (max.) à Id, Vgs 26mohms à 40A, 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA