Nouveau produit
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S3M0012120K

Numéro de produit DigiKey
1655-S3M0012120K-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
S3M0012120K
Description
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 155 A (Tc) 937W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
16mohms à 100A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 40mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
347 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+18V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6358 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
937W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4
Boîtier
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En stock: 180
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
130,36000 $30,36 $
3019,10833 $573,25 $
12017,23983 $2 068,78 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.