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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
S2M0160120K | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1655-S2M0160120K-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S2M0160120K |
Description | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 196mohms à 10A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 2,5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (max.) | +20V, -5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 130W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-247-4 | |
Boîtier |
En stock: 294
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 8,38000 $ | 8,38 $ |
| 10 | 5,59200 $ | 55,92 $ |
| 300 | 3,52573 $ | 1 057,72 $ |
| 600 | 3,28015 $ | 1 968,09 $ |
| 1 200 | 3,19258 $ | 3 831,10 $ |
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