Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 8.27 CAD
Availability: OutOfStock

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S1M1000170J
Numéro de produit DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Bande et bobine 1655-S1M1000170JCT-ND - Bande coupée (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	SMC Diode Solutions
Numéro de produit du fabricant	S1M1000170J
Description	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 5,8 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 500µA
Fabricant SMC Diode Solutions	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +20V, -5V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 160 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,8 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,3ohms à 2A, 20V