Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 7.48 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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S1M1000170J
Numéro de produit DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Bande et bobine 1655-S1M1000170JCT-ND - Bande coupée (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	SMC Diode Solutions
Numéro de produit du fabricant	S1M1000170J
Description	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 5,8 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	SMC Diode Solutions
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,3ohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	160 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA