Name: GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T016A120H-ND
Price: 19.18 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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GP3T016A120H
Numéro de produit DigiKey	1560-GP3T016A120H-ND
Fabricant	SemiQ
Numéro de produit du fabricant	GP3T016A120H
Description	GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 132 A (Tc) 484W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	SemiQ
Série	QSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	132 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	23mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 20mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	260 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6779 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	484W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	19,18000 $	19,18 $
10	13,39200 $	133,92 $
100	10,12240 $	1 012,24 $
500	9,53898 $	4 769,49 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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