Canal N 750 V 56 A (Tc) 176W Trou traversant TO-247N
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Canal N 750 V 56 A (Tc) 176W Trou traversant TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4026DEC11

Numéro de produit DigiKey
846-SCT4026DEC11-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT4026DEC11
Description
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 750 V 56 A (Tc) 176W Trou traversant TO-247N
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,8V à 15,4mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
94 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+21V, -4V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2320 pF @ 500 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
176W
Technologies
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
750 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247N
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
34mohms à 29A, 18V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 4 843
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
132,05000 $32,05 $
3020,09133 $602,74 $
12017,47433 $2 096,92 $
51016,79261 $8 564,23 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.