Name: SCT3080AW7TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT3080AW7TLTR-ND
Price: 25.75 CAD
Availability: InStock

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SCT3080AW7TL
Numéro de produit DigiKey	846-SCT3080AW7TLTR-ND - Bande et bobine 846-SCT3080AW7TLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-SCT3080AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3080AW7TL
Description	SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	cms-lead-weeks-value
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 29 A (Tc) 125W Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 18 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) +22V, -4V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 571 pF @ 500 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 125W
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur TO-263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 104mohms à 10A, 18V	Numéro de produit de base SCT3080
Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 5mA

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Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1 000	15,61540 $	15 615,40 $

Conditionnement standard du fabricant

SCT3080AW7TL