SCT4026DRC15
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SCT4026DRC15
SCT4026DRC15
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT3040KRC14

Numéro de produit DigiKey
846-SCT3040KRC14-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
SCT3040KRC14
Description
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 55 A (Tc) 262W Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
55 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
52mohms à 20A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1337 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
262W
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4L
Boîtier
TO-247-4
Numéro de produit de base
SCT3040
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En stock: 801
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
164,67000 $64,67 $
3044,61700 $1 338,51 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.