Canal N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-3PFM
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Canal N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-3PFM
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NZGC11

Numéro de produit DigiKey
SCT2H12NZGC11-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2H12NZGC11
Description
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-3PFM
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 900µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+22V, -6V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
184 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1700 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-3PFM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5ohms à 1,1A, 18V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 0
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
114,11000 $14,11 $
308,23800 $247,14 $
1206,94842 $833,81 $
5106,00404 $3 062,06 $
1 0205,77528 $5 890,79 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.