Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 9.19 CAD
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
Numéro de produit DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Bande et bobine 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT2H12NWBTL1
Description	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 3,9 A (Tc) 39W (Tc) Montage en surface TO-263CA-7LSHYAD
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 410µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -6V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 197 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 39W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263CA-7LSHYAD
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 1,1A, 18V