SCT2750NYTB Rohm Semiconductor | FET, MOSFET simples

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Rohm Semiconductor

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Prix unitaire : 10,30000 $

Similaire

Microchip Technology

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Prix unitaire : 9,53000 $

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SCT2750NYTB
Numéro de produit DigiKey	SCT2750NYTBTR-ND - Bande et bobine SCT2750NYTBCT-ND - Bande coupée (CT) SCT2750NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT2750NYTB
Description	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 5,9 A (Tc) 57W (Tc) Montage en surface TO-268
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 630µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -6V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 275 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 57W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,9 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-268
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 975mohms à 1,7A, 18V	Numéro de produit de base SCT2750

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Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SCT2750NWCTL1	Rohm Semiconductor	0	846-SCT2750NWCTL1CT-ND	10,30000 $	Recommandation fabricant
MSC750SMA170S	Microchip Technology	0	150-MSC750SMA170S-ND	9,53000 $	Similaire

Obsolète

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SCT2750NYTB