SCT2450KEGC11
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SCT2450KEGC11
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2450KEHRC11

Numéro de produit DigiKey
846-SCT2450KEHRC11-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
SCT2450KEHRC11
Description
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
585mohms à 3A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
463 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247N
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT2450
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 427
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
117,95000 $17,95 $
1013,38400 $133,84 $
45010,16682 $4 575,07 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.