SCT2450KEC est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Rohm Semiconductor
En stock: 503
Prix unitaire : 17,47000 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Rohm Semiconductor
En stock: 427
Prix unitaire : 17,95000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 6
Prix unitaire : 14,34000 $
Fiche technique

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IXYS
En stock: 820
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En stock: 0
Prix unitaire : 29,18203 $

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En stock: 367
Prix unitaire : 46,98000 $
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En stock: 0
Prix unitaire : 38,94643 $

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En stock: 300
Prix unitaire : 41,08000 $
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En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
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IXYS
En stock: 236
Prix unitaire : 42,49000 $
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IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 34,50800 $
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IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 66,01000 $
Fiche technique
R6020ENZ4C13
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
R6020ENZ4C13
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2450KEC

Numéro de produit DigiKey
SCT2450KEC-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2450KEC
Description
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
585mohms à 3A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
463 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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