SCT2280KEC est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


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Microchip Technology
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Fiche technique
Canal N 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Trou traversant TO-247
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Trou traversant TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2280KEC

Numéro de produit DigiKey
SCT2280KEC-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2280KEC
Description
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SCT2280KEC Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1,4mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
36 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+22V, -6V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
667 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
108W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
364mohms à 4A, 18V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (11)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SCT2280KEGC11Rohm Semiconductor0846-SCT2280KEGC11-ND23,72000 $Direct
IXFH20N85XIXYS121IXFH20N85X-ND18,02000 $Similaire
IXFH26N100XIXYS258IXFH26N100X-ND32,51000 $Similaire
IXFJ20N85XIXYS0IXFJ20N85X-ND13,17180 $Similaire
IXFR32N100Q3IXYS26IXFR32N100Q3-ND71,20000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.