SCT2080KEC est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Rohm Semiconductor
En stock: 1 798
Prix unitaire : 38,16000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 906
Prix unitaire : 23,39000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 51,11000 $
Fiche technique

Similaire


Microchip Technology
En stock: 76
Prix unitaire : 19,08000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 575
Prix unitaire : 41,43000 $
Fiche technique
R6020ENZ4C13
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
R6020ENZ4C13
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2080KEC

Numéro de produit DigiKey
SCT2080KEC-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2080KEC
Description
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 40 A (Tc) 262W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SCT2080KEC Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
117mohms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 4,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2080 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
262W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.