Name: RS7N160BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7N160BHTB1TR-ND
Price: 7.64 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RS7N160BHTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RS7N160BHTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS7N160BHTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS7N160BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS7N160BHTB1
Description	NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 160 A (Ta) 3W (Ta), 160W (Tc) Montage en surface DFN5060-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4470 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 160W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Ta)	Boîtier fournisseur DFN5060-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,6mohms à 50A, 10V