Name: RS7E200BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7E200BGTB1TR-ND
Price: 7.57 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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RS7E200BGTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RS7E200BGTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS7E200BGTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS7E200BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS7E200BGTB1
Description	NCH 30V 390A, DFN5060-8S, POWER
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 390A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) Montage en surface DFN5060-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	390A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,67mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9500 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 180W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN5060-8S
Boîtier	8-PowerTDFN