Canal N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
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RS1E150GNTB

Numéro de produit DigiKey
RS1E150GNTBTR-ND - Bande et bobine
RS1E150GNTBCT-ND - Bande coupée (CT)
RS1E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RS1E150GNTB
Description
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
15 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8,8mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
590 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 22W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-HSOP
Boîtier
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS1E
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En stock: 2 225
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
11,48000 $1,48 $
100,91800 $9,18 $
1000,59730 $59,73 $
5000,45940 $229,70 $
1 0000,41491 $414,91 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,36673 $916,83 $
5 0000,33695 $1 684,75 $
7 5000,32177 $2 413,28 $
12 5000,30471 $3 808,87 $
17 5000,29462 $5 155,85 $
25 0000,28920 $7 230,00 $
Conditionnement standard du fabricant