Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 2.46 CAD
Availability: InStock

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RQ7E110AJTCR
Numéro de produit DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Bande et bobine RQ7E110AJTCRCT-ND - Bande coupée (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ7E110AJTCR
Description	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 11 A (Tc) 1,5W (Tc) Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ7E110AJTCR Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 10mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2410 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,5W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Tc)	Boîtier fournisseur TSMT8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V	Boîtier 8-SMD, broches plates
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 4,5A, 11V	Numéro de produit de base RQ7E110