Name: RQ3L070BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070BGTB1TR-ND
Price: 1.25 CAD
Availability: InStock

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RQ3L070BGTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RQ3L070BGTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RQ3L070BGTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RQ3L070BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3L070BGTB1
Description	NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 7 A (Ta), 20 A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Ta), 20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24,7mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	460 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 15W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN