Canal N 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E160ADTB

Numéro de produit DigiKey
RQ3E160ADTBTR-ND - Bande et bobine
RQ3E160ADTBCT-ND - Bande coupée (CT)
RQ3E160ADTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RQ3E160ADTB
Description
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RQ3E160ADTB Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,5mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2550 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-HSMT (3,2x3)
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E160
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En stock: 17 829
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
11,79000 $1,79 $
101,12000 $11,20 $
1000,73480 $73,48 $
5000,56954 $284,77 $
1 0000,51636 $516,36 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,44878 $1 346,34 $
6 0000,41475 $2 488,50 $
9 0000,39742 $3 576,78 $
15 0000,37848 $5 677,20 $
Conditionnement standard du fabricant