Canal N 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E180GNTB

Numéro de produit DigiKey
RQ3E180GNTBTR-ND - Bande et bobine
RQ3E180GNTBCT-ND - Bande coupée (CT)
RQ3E180GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RQ3E180GNTB
Description
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RQ3E180GNTB Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
18A (Ta), 39A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,3mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1520 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-HSMT (3,2x3)
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E180
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En stock: 1 441
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
11,69000 $1,69 $
101,05900 $10,59 $
1000,69360 $69,36 $
5000,53654 $268,27 $
1 0000,48591 $485,91 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,42159 $1 264,77 $
6 0000,38921 $2 335,26 $
9 0000,37271 $3 354,39 $
15 0000,35418 $5 312,70 $
21 0000,35131 $7 377,51 $
Conditionnement standard du fabricant
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