


RQ3E150BNTB | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RQ3E150BNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E150BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E150BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RQ3E150BNTB |
Description | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 15 A (Ta), 39 A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RQ3E150BNTB Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 17W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,3mohms à 15A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TPH3R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 3 054 | TPH3R003PLLQCT-ND | 2,63000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,52000 $ | 1,52 $ |
| 10 | 0,94600 $ | 9,46 $ |
| 100 | 0,61430 $ | 61,43 $ |
| 500 | 0,47184 $ | 235,92 $ |
| 1 000 | 0,42594 $ | 425,94 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,36758 $ | 1 102,74 $ |
| 6 000 | 0,33818 $ | 2 029,08 $ |
| 9 000 | 0,32321 $ | 2 908,89 $ |
| 15 000 | 0,30638 $ | 4 595,70 $ |
| 21 000 | 0,29642 $ | 6 224,82 $ |
| 30 000 | 0,28674 $ | 8 602,20 $ |

