



RQ3E100GNTB | |
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Numéro de produit DigiKey | RQ3E100GNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E100GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RQ3E100GNTB |
Description | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RQ3E100GNTB Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 11,7mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 7.9 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 420 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 15W (Tc) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-HSMT (3,2x3) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,09000 $ | 1,09 $ |
| 10 | 0,67100 $ | 6,71 $ |
| 100 | 0,43090 $ | 43,09 $ |
| 500 | 0,32728 $ | 163,64 $ |
| 1 000 | 0,29389 $ | 293,89 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,25140 $ | 754,20 $ |
| 6 000 | 0,23000 $ | 1 380,00 $ |
| 9 000 | 0,21909 $ | 1 971,81 $ |
| 15 000 | 0,20684 $ | 3 102,60 $ |
| 21 000 | 0,19958 $ | 4 191,18 $ |
| 30 000 | 0,19252 $ | 5 775,60 $ |
| 75 000 | 0,18827 $ | 14 120,25 $ |

