



RQ3E080BNTB | |
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Numéro de produit DigiKey | RQ3E080BNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E080BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RQ3E080BNTB |
Description | MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RQ3E080BNTB Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 15,2mohms à 8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 660 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-HSMT (3,2x3) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,99000 $ | 0,99 $ |
| 10 | 0,61500 $ | 6,15 $ |
| 100 | 0,39330 $ | 39,33 $ |
| 500 | 0,29784 $ | 148,92 $ |
| 1 000 | 0,26702 $ | 267,02 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,22782 $ | 683,46 $ |
| 6 000 | 0,20806 $ | 1 248,36 $ |
| 9 000 | 0,19799 $ | 1 781,91 $ |
| 15 000 | 0,18668 $ | 2 800,20 $ |
| 21 000 | 0,17998 $ | 3 779,58 $ |
| 30 000 | 0,17346 $ | 5 203,80 $ |
| 75 000 | 0,16692 $ | 12 519,00 $ |








