Name: RH6P040BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6P040BHTB1TR-ND
Price: 3.83 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RH6P040BHTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RH6P040BHTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RH6P040BHTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RH6P040BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RH6P040BHTB1
Description	NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 40 A (Tc) 59W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	15,6mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1080 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	59W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN