Name: RF4E110GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110GNTRTR-ND
Price: 1.22 CAD
Availability: InStock

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RF4E110GNTR
Numéro de produit DigiKey	RF4E110GNTRTR-ND - Bande et bobine RF4E110GNTRCT-ND - Bande coupée (CT) RF4E110GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RF4E110GNTR
Description	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 11 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface HUML2020L8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RF4E110GNTR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,3mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	504 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	HUML2020L8
Boîtier	8-PowerUDFN
Numéro de produit de base	RF4E110