Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 1.22 CAD
Availability: InStock

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RF4E080GNTR
Numéro de produit DigiKey	RF4E080GNTRTR-ND - Bande et bobine RF4E080GNTRCT-ND - Bande coupée (CT) RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RF4E080GNTR
Description	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface HUML2020L8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RF4E080GNTR Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.8 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 295 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Ta)	Boîtier fournisseur HUML2020L8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerUDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 17,6mohms à 8A, 10V	Numéro de produit de base RF4E080

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

RF4E080GNTR