Canal N 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Trou traversant TO-220FM
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RCX080N25

Numéro de produit DigiKey
RCX080N25-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RCX080N25
Description
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RCX080N25 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
840 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,23W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
RCX080
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
12,83000 $2,83 $
101,80400 $18,04 $
1001,21300 $121,30 $
5000,95986 $479,93 $
1 0000,87839 $878,39 $
2 0000,80989 $1 619,78 $
5 0000,73578 $3 678,90 $
10 0000,72149 $7 214,90 $
Conditionnement standard du fabricant